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多晶硅片在分选过程中出现粘胶面中间硅粉脱落(清洗过程中看不出来,严重的形成崩边和硅落)的原因?

来源:www.ahlulin.com   时间:2023-09-25 00:51   点击:164  编辑:admin   手机版

一、多晶硅片在分选过程中出现粘胶面中间硅粉脱落(清洗过程中看不出来,严重的形成崩边和硅落)的原因?

当你的硅棒被线切割后,其底部有残余铸锭,这是将棒料放置到水槽中,用普通自来水少高压,冲洗,冲洗时沿着片子的外边缘,来回走两遍,然后放在一边,再用再一次冲洗,

这样就没问题了,和你的铸锭没有关系,是清洗的方法不对,

我是一个研发人员,如贵公司需要清洗后的设备,比如硅片的分片,等自动化设备,可以提供技术支持

二、抛光都有哪些常见的方式方法?

1、机械抛光机械抛光是靠切削、材料表面塑性变形去掉被抛光后的凸部而得到平滑面的抛光方法,一般使用油石条、羊毛轮、砂纸等,以手工操作为主,特殊零件如回转体表面,可使用转台等辅助工具,表面质量要求高的可采用超精研抛的方法。超精研抛是采用特制的磨具,在含有磨料的研抛液中,紧压在工件被加工表面上,作高速旋转运动。利用该技术可以达到Ra0.008μm的表面粗糙度,是各种抛光方法中最高的。光学镜片模具常采用这种方法。

2、化学抛光化学抛光是让材料在化学介质中表面微观凸出的部分较凹部分优先溶解,从而得到平滑面。这种方法的主要优点是不需复杂设备,可以抛光形状复杂的工件,可以同时抛光很多工件,效率高。化学抛光的核心问题是抛光液的配制。化学抛光得到的表面粗糙度一般为数10μm。

3、电解抛光电解抛光基本原理与化学抛光相同,即靠选择性的溶解材料表面微小凸出部分,使表面光滑。与化学抛光相比,可以消除阴极反应的影响,效果较好。电化学抛光过程分为两步:(1)宏观整平溶解产物向电解液中扩散,材料表面几何粗糙下降,Ra>1μm。(2)微光平整阳极极化,表面光亮度提高,Ra<1μm。

4、超声波抛光将工件放入磨料悬浮液中并一起置于超声波场中,依靠超声波的振荡作用,使磨料在工件表面磨削抛光。超声波加工宏观力小,不会引起工件变形,但工装制作和安装较困难。超声波加工可以与化学或电化学方法结合。在溶液腐蚀、电解的基础上,再施加超声波振动搅拌溶液,使工件表面溶解产物脱离,表面附近的腐蚀或电解质均匀;超声波在液体中的空化作用还能够抑制腐蚀过程,利于表面光亮化。

5、流体抛光流体抛光是依*高速流动的液体及其携带的磨粒冲刷工件表面达到抛光的目的。常用方法有:磨料喷射加工、液体喷射加工、流体动力研磨等。流体动力研磨是由液压驱动,使携带磨粒的液体介质高速往复流过工件表面。介质主要采用在较低压力下流过性好的特殊化合物并掺上磨料制成,磨料可采用碳化硅粉末。

6、磁研磨抛光磁研磨抛光是利用磁性磨料在磁场作用下形成磨料刷,对工件磨削加工。这种方法加工效率高,质量好,加工条件容易控制,工作条件好。采用合适的磨料,表面粗糙度可以达到Ra0.1μm。

三、为什么我的电脑上鲁大师开起主板温度总是很高呀 有时耍cf就显示主板温度过高 提出警报 很不爽

很简单,清理灰尘。我的HP清理过后,温度直接从70降到40.心情那叫一个激动。

四、国外复合材料做的比较好的公司有哪些?

阿姆斯壮,洁福,得嘉

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